日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)具有600V的電壓等級，在10V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻僅有0.190Ω。低RDS(on)意味著更低的導通損耗，從而在液晶電視、個人電腦、服務器、開關電源和通信系統(tǒng)等各種電子系統(tǒng)中減少功率因數(shù)矯正(PFC)和脈寬調(diào)制(PWM)應用的能量損耗。
除低導通電阻之外，這些器件的柵電荷只有98nc。柵電荷與導通電阻的乘積是功率轉(zhuǎn)換應用中MOSFET的優(yōu)值(FOM)，這些器件的FOM可低至18.62Ω*nC。
為可靠起見，這些器件均進行了完整的雪崩測試，具有很高的重復(EAR)雪崩能量。新的MOSFET可處理65A的峰值電流和22A的連續(xù)電流。這四款器件均具有有效輸出容值標準。
與前一代600V功率MOSFET相比，新器件改善了跨導和反向恢復特性。這些MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC。
新款Super Junction FET MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將于2010年第一季度實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。■
來源：Vishay
http:www.cibtcorp.com/news/2010-1/201012692440.html
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