IR推出增強(qiáng)型25V及30V MOSFET

適用于負(fù)載點(diǎn)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用

    日前，全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出一系列新型25V及30V N通道溝道HEXFET功率MOSFET。它們針對(duì)同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用。

    新MOSFET系列采用了IR經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的硅技術(shù)，可提供基準(zhǔn)通態(tài)電阻(RDS(on))，并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導(dǎo)損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負(fù)載條件下，低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實(shí)現(xiàn)高效率。

    IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這些新型MOSFET采用Power QFN封裝，可比SO-8封裝提供更高的功率密度，同時(shí)保持相同的引腳排列配置。新型雙SO-8 MOSFET還可通過(guò)‘二合一’交換來(lái)減少元件數(shù)目，滿足不同應(yīng)用的要求。”

    單雙N通道MOSFET現(xiàn)已開(kāi)始供應(yīng)。除了D-PAK、I-PAK和SO-8封裝之外，單個(gè)N通道器件也可在高量產(chǎn)時(shí)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化，采用PQFN 5mm×6mm和3mm×3mm封裝，而雙N通道器件則采用SO-8封裝。新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS)，可以不含鹵素。

    產(chǎn)品的基本規(guī)格如下：

單個(gè)N通道

雙N通道

    新器件現(xiàn)已開(kāi)始供應(yīng)。產(chǎn)品詳細(xì)數(shù)據(jù)可以瀏覽IR網(wǎng)頁(yè)www.irf.com。

    IR簡(jiǎn)介

    國(guó)際整流器公司(簡(jiǎn)稱IR，紐約證交所代號(hào)IRF)是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗(電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備)，是眾多國(guó)際知名廠商開(kāi)發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國(guó)防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。

    IR成立于1947年，總部設(shè)在美國(guó)洛杉磯，在二十個(gè)國(guó)家設(shè)有辦事處。IR全球網(wǎng)站：www.irf.com，亞洲網(wǎng)站：www.irf-asia.com，中國(guó)網(wǎng)站：www.irf.com.cn。