作為繼Si之后的新一代功率半導體，SiC是與GaN等一樣備受矚目的材料。有望成為實現(xiàn)電源系統(tǒng)高效率化和小型化的關鍵所在。關于SiC的全球最高級別國際學會“第七屆碳化硅與相關材料歐洲會議（ECSCRM）”于當?shù)貢r間2008年9月7日在西班牙巴塞羅那召開。會議截止日期為08年9月11日。
ECSCRM上，除肖特基二極管（Schottky Barrier Diode）和MOSFET等利用SiC的元件（SiC元器件）外，還將發(fā)表決定SiC元件特性和價格的SiC底板、結(jié)晶成長技術(shù)以及分析技術(shù)等相關最新成果。除這些技術(shù)外，“還將發(fā)表利用SiC的石墨烯制作技術(shù)和面向生物技術(shù)的應用等近來備受矚目的研究成果”（在國際籌劃指導委員會就職的科學技術(shù)振興機構(gòu)（JST）JST京都科技創(chuàng)新館（Innovation Plaza）館長松波弘之）。
ECSCRM上，除肖特基二極管（Schottky Barrier Diode）和MOSFET等利用SiC的元件（SiC元器件）外，還將發(fā)表決定SiC元件特性和價格的SiC底板、結(jié)晶成長技術(shù)以及分析技術(shù)等相關最新成果。除這些技術(shù)外，“還將發(fā)表利用SiC的石墨烯制作技術(shù)和面向生物技術(shù)的應用等近來備受矚目的研究成果”（在國際籌劃指導委員會就職的科學技術(shù)振興機構(gòu)（JST）JST京都科技創(chuàng)新館（Innovation Plaza）館長松波弘之）。
免責聲明：本文僅代表作者個人觀點，與電源在線網(wǎng)無關。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實，對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實相關內(nèi)容。
編輯：ronvy
編輯：ronvy
本文鏈接：下一代功率半導體SiC國際會議召開
http:www.cibtcorp.com/news/2008-9/2008926102456.html
http:www.cibtcorp.com/news/2008-9/2008926102456.html
文章標簽： SiC元件/功率半導體
0755-82905460
郵箱 
：
