Microsemi日前推出其最新一代功率MOS 8產(chǎn)品的首批15款產(chǎn)品。這些新型的功率MOS 8 MOSFET和REDFET系列器件設(shè)計用于包括功率因子校正、服務(wù)器和電信電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、電弧焊、等離子切割、電池充電器、半導(dǎo)體資本設(shè)備和感應(yīng)加熱等高功率、高性能開關(guān)模式應(yīng)用。
其主要優(yōu)點有：受振蕩影響減小，電磁干擾(EMI)降低；低導(dǎo)通電阻RDS(on) ；低柵電荷；低開關(guān)損耗；額定雪崩能量；更低的熱阻抗。
Microsemi的工程師們采用先進(jìn)的設(shè)計技術(shù)優(yōu)化電容和柵極電阻，從而使一系列器件受振蕩影響程度降低、峰值轉(zhuǎn)換率更低、EMI減小、提高了dv/dt處理能力。這些優(yōu)點相結(jié)合可簡化高功率應(yīng)用中對多個器件的濾波和并聯(lián)。
此外，與早期的器件相比，先進(jìn)的制造工藝降低了MOS 8產(chǎn)品的熱電阻，使每個裸片尺寸和封裝類型可承受更高的額定電流。電容和柵電荷的降低可實現(xiàn)較高的轉(zhuǎn)換頻率和較低的開關(guān)損耗。
所有MOS 8器件經(jīng)過100%雪崩能量檢測，所用封裝皆符合RoHS指令。
因受益于恢復(fù)速度小于250ns的快速寄生二極管 ，MOS 8 FREDFET具有MOS 8 MOSFET所具有的全部優(yōu)點。這些器件在寄生二極管承載正向電流的應(yīng)中具有極好的耐用性和可靠性，如常用的零電壓轉(zhuǎn)換(ZVS)橋拓?fù)洹?
功率MOS 8系列首批推出的這10款MOSFET和5款FREDFET器件的額定電流范圍為19至75A，額定電壓范圍為500V至1200V。其它不同的額定電流、電壓組合將在2006年底和2007年初推出。
首批超快恢復(fù)FREDFET器件的額定電壓范圍為500V和600V，恢復(fù)時間僅為150納秒，計劃在2006年第四季度推出。額定電壓為600V和900V的功率 8 IGBT將在2007年年初推出。
其主要優(yōu)點有：受振蕩影響減小，電磁干擾(EMI)降低；低導(dǎo)通電阻RDS(on) ；低柵電荷；低開關(guān)損耗；額定雪崩能量；更低的熱阻抗。
Microsemi的工程師們采用先進(jìn)的設(shè)計技術(shù)優(yōu)化電容和柵極電阻，從而使一系列器件受振蕩影響程度降低、峰值轉(zhuǎn)換率更低、EMI減小、提高了dv/dt處理能力。這些優(yōu)點相結(jié)合可簡化高功率應(yīng)用中對多個器件的濾波和并聯(lián)。
此外，與早期的器件相比，先進(jìn)的制造工藝降低了MOS 8產(chǎn)品的熱電阻，使每個裸片尺寸和封裝類型可承受更高的額定電流。電容和柵電荷的降低可實現(xiàn)較高的轉(zhuǎn)換頻率和較低的開關(guān)損耗。
所有MOS 8器件經(jīng)過100%雪崩能量檢測，所用封裝皆符合RoHS指令。
因受益于恢復(fù)速度小于250ns的快速寄生二極管 ，MOS 8 FREDFET具有MOS 8 MOSFET所具有的全部優(yōu)點。這些器件在寄生二極管承載正向電流的應(yīng)中具有極好的耐用性和可靠性，如常用的零電壓轉(zhuǎn)換(ZVS)橋拓?fù)洹?
功率MOS 8系列首批推出的這10款MOSFET和5款FREDFET器件的額定電流范圍為19至75A，額定電壓范圍為500V至1200V。其它不同的額定電流、電壓組合將在2006年底和2007年初推出。
首批超快恢復(fù)FREDFET器件的額定電壓范圍為500V和600V，恢復(fù)時間僅為150納秒，計劃在2006年第四季度推出。額定電壓為600V和900V的功率 8 IGBT將在2007年年初推出。
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本文鏈接：Microsemi發(fā)布10款MOSFE
http:www.cibtcorp.com/news/2006-9/200692885647.html
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文章標(biāo)簽： Microsemi
0755-82905460
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