東芝材料在日前于日本舉辦的“Techno-Frontier 2006”展會上，展出了高0.3mm的電感器。設(shè)想的應(yīng)用方式是將電感器層疊到便攜終端升降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器IC的硅芯片上，內(nèi)置于封裝中。備有連接硅芯片的焊盤，提出以球焊方式連接電感器和硅芯片的方法。此外，由于厚度減小，還有可能具備柔性。如將電感器內(nèi)置于封裝中，有望通過吸收模制樹脂的熱膨脹系數(shù)，防止受熱后出現(xiàn)裂紋等。實用化時間等尚未確定。
據(jù)介紹，此款高0.3mm的電感器額定電流在1A～2A左右。現(xiàn)有手機(jī)通常在500～700mA之間。DC-DC轉(zhuǎn)換器IC的驅(qū)動電壓如降至1V左右，就需要1A以上的額定電流。
此次的產(chǎn)品通過改進(jìn)覆蓋線圈的磁性材料，降低了在高頻區(qū)的損耗。10MHz下的Q值在25以上。目前，普通鐵氧體材料雖說在1MHz下Q值高達(dá)20～30，但10MHz下的Q值則只有5～10。開關(guān)頻率為4～5MHz的DC-DC轉(zhuǎn)換器IC現(xiàn)已開始部分上市。該公司預(yù)測，今后隨著頻率的進(jìn)一步提高，2009年～2010年前后10MHz產(chǎn)品將進(jìn)入實用階段。
據(jù)介紹，此款高0.3mm的電感器額定電流在1A～2A左右。現(xiàn)有手機(jī)通常在500～700mA之間。DC-DC轉(zhuǎn)換器IC的驅(qū)動電壓如降至1V左右，就需要1A以上的額定電流。
此次的產(chǎn)品通過改進(jìn)覆蓋線圈的磁性材料，降低了在高頻區(qū)的損耗。10MHz下的Q值在25以上。目前，普通鐵氧體材料雖說在1MHz下Q值高達(dá)20～30，但10MHz下的Q值則只有5～10。開關(guān)頻率為4～5MHz的DC-DC轉(zhuǎn)換器IC現(xiàn)已開始部分上市。該公司預(yù)測，今后隨著頻率的進(jìn)一步提高，2009年～2010年前后10MHz產(chǎn)品將進(jìn)入實用階段。
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本文鏈接：東芝0.3mm厚度電感可層疊至DC-D
http:www.cibtcorp.com/news/2006-4/2006427101821.html
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