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“非純凈硅”新技術(shù)有望降低太陽(yáng)能電池成本

　　美國(guó)加州伯克利大學(xué)研究人員研制出基于“非純凈硅(dirty silicon)”的新技術(shù)，有可能幫助降低太陽(yáng)能電池的成本。

　　將近90%的太陽(yáng)能或光電電池是由提煉的純凈硅制成的。嘗試使用資源豐富而且便宜的充滿(mǎn)金屬雜質(zhì)和缺陷的普通硅，由此制成的太陽(yáng)能電池性能差強(qiáng)人意而一度失敗。此外，用于去除雜質(zhì)的制造技術(shù)也非常昂貴，抵消了采用便宜材料而帶來(lái)的成本效益。

　　“我們提出了一種利非純凈硅的新方法。”該大學(xué)材料科學(xué)與工程系教授兼Lawrence Berkeley國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(LBNL)先進(jìn)單位材料中心首席調(diào)查員Eicke Weber表示。“我們不去除雜質(zhì)，而是留下它們，但是我們采用了減少它們對(duì)太陽(yáng)能效率產(chǎn)生有害影響的處理方法。”Weber表示。

　　研究人員發(fā)現(xiàn)，他們能夠通過(guò)改變硅冷卻速率來(lái)控制金屬雜質(zhì)的分布。研究人員聲稱(chēng)，如果研究者和制造商能進(jìn)一步降低電池成本，太陽(yáng)能工業(yè)將得到更快速發(fā)展。

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