999久久久免费精品国产-亚洲国产精品尤物yw在线观看-激情综合色五月丁香六月欧美-人人妻人人澡人人爽欧美一区

 您的位置:首頁>>管理中心>>行業資訊>>新聞資訊正文
 
貿澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET 為各類電源應用提供更好的支持
新聞ID號:  64051 無標題圖片
資訊類型:  新品速遞
所屬類別:  功率器件
關 鍵 字:  ~
內容描述:  ~
發布時間:  2022/6/14 11:34:52
更新時間:  2022/6/14 11:34:52
審核情況:  已審核開通[2022/6/14 11:34:52]
瀏覽次數:  共 870 人/次
新聞來源:  ~
鏈    接:  ~
責任編輯:  ~
發 布 者:  電源在線
圖片文件
原文件名:微信圖片_20220613095634.jpg
保存文件:20220614113338214.jpg
路徑文件:/uploadfile/newspic/20220614113338214.jpg
管理操作:  修改  設置為未審核    發布新聞資訊
內    容:

  2022年6月9日–提供超豐富半導體和電子元器件的業界知名新品引入(NPI)分銷商貿澤電子(Mouser Electronics)即日起開始分銷UnitedSiC(現已被Qorvo®收購)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅(SiC)FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產品,此第四代器件具有出色的導通電阻特性,適用于主流800V總線架構中的電源解決方案,如電動汽車車載充電器、工業電池充電器、工業電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。

  貿澤電子分銷的UF4C/SC SiC FET為設計人員提供了多種導通電阻和封裝選項。1200 V SiC FET的導通電阻(RDS(on))值為23mΩ至70mΩ,可采用三引線TO-247-3L封裝或四引線TO-247-4L封裝。TO-247-4L封裝采用開爾文柵極,具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性,非常適合開關感性負載,以及任何需要標準柵極驅動的應用。

  UF4C/SC系列所有器件都可以用標準的0V至12V或15V柵極驅動電壓安全驅動,從而在不改變柵極驅動電壓的情況下,成為硅IGBT、FET或超級結器件的合適替代品。UF4C/SC SiC FET的其他主要特性包括:通過真正的5V閾值電壓保持良好的閾值噪聲容限、出色的反向恢復特性和內置ESD柵極保護箝位。