CMOS集成電路潛在缺陷的最小電壓檢測(cè)
上傳時(shí)間：2009/8/20 10:58:06
摘要： 有潛在缺陷的芯片有可能通過生產(chǎn)測(cè)試，但是在實(shí)際應(yīng)用中卻會(huì)引起早期失效的問題，進(jìn)而引起質(zhì)量問題。為了避免這個(gè)問題，就需要在產(chǎn)品賣給客戶之前檢測(cè)出這種有問題的芯片。一般的檢測(cè)技術(shù)包括Burn—in、IDDQ測(cè)試、高壓測(cè)試和低壓測(cè)試等。Burn—in是一種有效的也是目前應(yīng)用最廣泛的測(cè)試技術(shù)，但是Burn—in的硬件設(shè)備相當(dāng)昂貴，而且測(cè)試時(shí)間也比較長，從而間接地增加了產(chǎn)品的成本。IDDQ測(cè)試對(duì)于大規(guī)模集成電路，特別是亞微米電路效果不理想，主要是由于隨著電路規(guī)模的增加和尺寸的減少，暗電流也會(huì)增加。高壓檢測(cè)對(duì)電路中的異物連接，如金屬短路，也沒有很好的效果，甚至有時(shí)會(huì)掩蓋此類缺陷。在遠(yuǎn)低于正常運(yùn)行電壓的環(huán)境下，正常芯片和有缺陷的芯片有著不同的電性表現(xiàn)，因此可以根據(jù)正常芯片的數(shù)據(jù)設(shè)置最小電壓，根據(jù)此數(shù)值來判斷芯片是否合格。
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