近期，科達(dá)半導(dǎo)體再次發(fā)布了IGBT新產(chǎn)品，這次推出的新產(chǎn)品包括三大類共5款：1、KDG25N120W、KDG40N120W單管兩款;2、KDG40N120H1單管一款;3、KDG25R12KE3、KDG40R12KT3模塊兩款。
KDG25N120W、KDG40N120W單管產(chǎn)品
主要針對(duì)逆變控制領(lǐng)域(逆變焊機(jī)等)研制的芯片，封裝形式為TO-247單管。KDG25N120W產(chǎn)品在100℃環(huán)境下的耐壓值高于1200V，電流標(biāo)稱為25A。KDG40N120W產(chǎn)品在100℃環(huán)境下的耐壓值高于1200V，電流標(biāo)稱為40A。
KDG40N120H1單管產(chǎn)品
主要針對(duì)變頻領(lǐng)域(變頻器等)研制的芯片，封裝形式為TO-247單管。KDG40N120H1產(chǎn)品在100℃環(huán)境下的耐壓值高于1200V，電流標(biāo)稱為40A。
KDG25R12KE3、KDG40R12KT3模塊
主要針對(duì)7.5KW以下的小功率變頻器領(lǐng)域，整體性能達(dá)到世界一流水平。科達(dá)半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)6年的發(fā)展，產(chǎn)品在技術(shù)研發(fā)、市場(chǎng)開(kāi)拓上都積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，總結(jié)這些年的發(fā)展歷程和取得的成果，確定出了后期產(chǎn)品技術(shù)路線和市場(chǎng)定位的三大方向：一方面，快速實(shí)現(xiàn)新一代產(chǎn)品：溝槽式——場(chǎng)截止(Trench-Fs)IGBT芯片的量產(chǎn)化；另一方面，由單一化的單管IGBT產(chǎn)品模式升級(jí)為全方位多層次涵蓋IGBT單管，IGBT模塊，IGBT產(chǎn)品應(yīng)用方案提供商;同時(shí)，市場(chǎng)開(kāi)拓上要兩手抓，同步推進(jìn)民用市場(chǎng)與工業(yè)市場(chǎng)。
IGBT芯片是功率半導(dǎo)體的技術(shù)前沿，2007年科達(dá)半導(dǎo)體研制出了1200V15A/20A/30A的IGBT芯片及單管產(chǎn)品，打破了國(guó)外壟斷，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白，肩負(fù)起振興民族工業(yè)、強(qiáng)化自主品牌的重任。這次新品的推出，不僅豐富了科達(dá)的產(chǎn)品種類，而且滿足了客戶對(duì)不同產(chǎn)品的需求。<
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