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近二十年來碳化硅半導體材料開始被行內(nèi)人士重視,因為它有許多優(yōu)勢。早在上世記50年代,在黃昆、謝希德合著的“半導體物理學”著作中已介紹了半導體碳化硅。最早進入制作半導體器件的材料是鍺,隨后,硅和三、五族半導體材料登上了歷史舞臺。
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<P> 近二十年來碳化硅<A href="http://www.cibtcorp.com/news/45796.htm"><STRONG>半導體</STRONG></A>材料開始被行內(nèi)人士重視,因為它有許多優(yōu)勢。早在上世記50年代,在黃昆、謝希德合著的“半導體物理學”著作中已介紹了半導體碳化硅。最早進入制作半導體器件的材料是鍺,隨后,硅和三、五族半導體材料登上了歷史舞臺。直至如今電力電子領域的晶閘管和IGBT等高壓、大電流器件仍是使用硅單晶材料。由于碳化硅器件設計理論有所突破,人們對更高性能的大功率半導體器件的期望也越來越迫切。 </P> <P> 據(jù)權威媒體分析,SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場,預計到2020年,SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術創(chuàng)新上。 </P> <P> SiC器件因為成熟度和可靠性更佳,發(fā)展腳步將領先GaN。SiC功率器件增長動力主要來自可再生能源領域,在太陽能市場占有率將達32%。在軌道交通領域,SiC和GaN的應用相當,預計到2020年,兩者市場份額分別為16%和15%。在IT和電子設備市場,GaN較SiC更有優(yōu)勢,估計2020年市場份額可達14%。 </P> <P> GaN剛剛起步但后勁十足,GaN是一種寬帶隙材料,可提供類似SiC的性能特色 ,但有更大的成本降低潛力。這一性價比優(yōu)勢是有可能實現(xiàn)的,因為GaN功率器件可在硅襯底上生長出來,與SiC襯底相比,它的成本更低。 </P> <P> 由于全球經(jīng)濟的不景氣和SiC的價格下降幅度并不如預期的大,SiC和GaN功率器件需求市場近幾年并沒有出現(xiàn)強烈增長。與之相反,業(yè)界對GaN技術的信心開始增長,因為更多的半導體供應商宣布GaN的開發(fā)計劃。 </P> <P> 隨著國家相關政策的完善及戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的崛起,電力電子技術在風能、太陽能、熱泵、水電、生物質(zhì)能、綠色建筑、新能源裝備、電動汽車等先進制造業(yè)等重要領域都將發(fā)揮重要作用,而這其中的許多領域都在“十二五”規(guī)劃中具備萬億以上的市場規(guī)模,其必然帶動電力電子技術及產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展,迎來重大的發(fā)展機遇。 </P> <P> 據(jù)悉,PEC電力電子蘇州站(10月25-26日,蘇州會議中心),將迎來業(yè)界內(nèi)知名企業(yè)及行業(yè)組織專家,共同探討SiC和GaN在未來的發(fā)展趨勢,以及能否真正意義上為國民經(jīng)濟帶來質(zhì)的飛躍等話題。如CREE科銳將隆重出席會議,并為觀眾帶來碳化硅器件的發(fā)展與應用的精彩演講,來自中國科學院州納米研究所的專家,將為業(yè)內(nèi)分享GaN電力電子器件的相關知識。眾多權威專業(yè)媒體還將進行現(xiàn)場報道,敬請期待! </P> <P> <STRONG>小知識: </STRONG></P> <P> PEC是Power Electronics China的縮寫,內(nèi)容涵蓋電力電子器件(工業(yè)/消費)、電力電子裝置、GaN/SiC材料、汽車電力電子、半導體制造與封裝、電能質(zhì)量、電源管理、散熱管理、磁性元件、能量儲存、無源器件以及測試測量等。 </P> <P> 蘇州內(nèi)容涵蓋電力電子市場發(fā)展趨勢等政策解讀、光伏、智能電網(wǎng)變革、能源互聯(lián)網(wǎng)、能源效率、汽車電力電子、電動交通這、GaN與SiC等。 </P> <P> 西安內(nèi)容涵蓋電力電子市場發(fā)展趨勢、國產(chǎn)大功率器件、電力電子與軌道交通技術、生產(chǎn)與配套、GaN 與 SiC等。<SPAN style="FONT-FAMILY: Webdings"><</SPAN></P>