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內 容:
<P> 陳慕平主要探討超高頻電磁感應加熱供電器MOSFET功率組件,于應用時為達到高穩定度需加考慮的相關技術與要點,包括以零電壓切換技術來達到突波抑制、防止功率組件震蕩的MOSFET小信號模式分析、RBSOA的量測、MOSFET失效檢視等課題。</P> <P> 功率組件在電力電子產品中扮演了一個非常重要的地位,一則其成本約占產品材料成本的30%,一但在保固期燒毀,維修成本甚高,造成血本無歸,且對商譽打擊甚大。雖然在電路中功率組件只是扮演一個很簡單的開關角色,但其開關速度所造成的瞬時高電壓變化率及電流變化率,往往造成很強的電磁波干擾及嚴重的組件損壞,甚至于引起火災,所以每個制造商莫不投入相當大精力于功率組件級的設計與測試。國際上亦有一些重要研究的發展,大幅提升電力電子產品的可靠度。</P> <P> 超高頻感應加熱供電器,由于工作頻率高達1MHz,組件快速切換,造成了很大的電磁干擾與切換損失,更由于快速的電壓變化率(dv/dt),造成很大的突波及熱量損耗,且由于受限于濾波組件的頻寬,高頻突波無法用緩沖電路(snubber)加以吸收,陳先生特別針對超高頻感應加熱供電器功率組件MOSFET驅動設計加以探討,藉由小信號模型的探討提出了一些解決對策與實務。</P>